磁光晶體TGG
 摻雜YVO4
 摻雜GdVO4
 聲光/壓電晶體TeO2
 正硅酸銥晶體
 碘酸鋰晶體
 硝酸鋇晶體
 摻雜釔鋁石榴石(Nd:YAG)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
   
光折變晶體BaTiO3
   
   鈦酸鋇(BaTiO3)單晶具有優異的光折變性能,具有高的自泵浦相位共軛反射率和二波混頻(光放大)效率,在光信息存儲方面有巨大的潛在應用前景;同時它也是重要的襯底基片材料。

   北京物科光電技術有限公司擁有對BaTiO3單晶十余年的研發經驗。為了擴展其光折變效應的工作波段太子彩票平台注册,近年來先后開發出摻鈰(Ce)、銠(Rh)等鈦酸鋇單晶以及多種規格的BaTiO3基片。其中Ce:BaTiO3獲有美、中兩國發明專利權。

 

主要技術指標:
晶體結構 ?  四方Tetragona(4m):13°C<T<132°C a=3.99 ,c=4.04,(at 26°C)
生長方法 TSSG (Top Seeded Solution Growth) 頂部籽晶法
熔點 1612°C 
折射率   515nm 633nm  800nm
no 2.4912 2.4160 2.3681
ne  2.4247 2.3630 2.3235
透過波長范圍 0.43-6.30 mm
電光系數 rT13=8±2pm/V ?    rT33=105±10pm/V ?     rT42=1300±100pm/V
自泵浦相位共軛反射率 (0度切)

50 - 70 % for l = 515nm(Ce: BaTiO3)

40 - 60 % (PureBaTiO3) for l = 515nm

50 - 80 % for l = 633nm(Ce: BaTiO3)

40 - 60 % for l = 633nm (PureBaTiO3)

二波混頻耦合系數 10-40  cm-1  
吸收損失

  l: 515nm  633nm  800nm

  a: 0.285cm-1  0.108cm-1  0.033cm-1

光折變效應的工作波長

Undoped BTO: for visible

 Ce:BTO :480-780nm

 Rh:BTO :for 720-1060nm

尺寸規格:

光折變級

3x3x3 mm 2- 4 faces polished & poled

 5x5x5 mm 2- 6 faces polished & poled

 0°及45°切。

基片級

Size : 5x5x1.0 mm,10x10x1.0 mm or others

 Polishing : 1 or 2 faces polished

 Poling : Substrates with
    <100>,<110>太子彩票平台注册,<111> orientations can not be poled太子彩票平台注册;
    <001> orientation substrate must be poled.

 

聯系人:張春林 張富林        電話: (010)82640928     18519860328          傳 真:(010)82618339      

電子信箱:chlzhang@iphy.ac.cn

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