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脈沖激光淀積(PLD)制膜設備
 

      北京物科光電技術有限公司的脈沖激光淀積設備和薄膜制備技術系中科院物理所的獨家授權技術。中科院物理所自1987年開始脈沖激光淀積設備和薄膜制備技術研究。先后研制成PLD-I型,PLD-II型,PLD-III型脈沖激光淀積系統,并用PLD-II型系統研制出主要指標達國際先進水平的YBCO 高溫超導薄膜。所研制的脈沖激光淀積設備和高溫超導薄膜一起獲得中國科學院科技進步1等獎1次,經進一步改進后又獲國家科技進步3等獎1次。獲得相關專利12項,在國內外發表論文60多篇。在中科院主持的有二位院士參加的專家鑒定會上,該多功能脈沖激光淀積設備被確認為“綜合性能達國內最高水平并達國際先進水平”。

    與脈沖激光淀積系統配套的還有活性氣體發生器,激光束掃描器,單晶硅基片加熱器,轉動基片加熱器,計算機控制,制靶設備等單元或成套裝置。并能為客戶提供研制薄膜的咨詢和指導。

 
 
主要技術指標:

        自1987年貝爾實驗室用準分子激光研制出高質量釔鋇銅氧超導薄膜以來,人們發現這種方法是制備薄膜的最好方法之一, 可以制出各種鐵電、介電、巨磁阻、半導體、金屬等薄膜和多種超晶格,異質結,P-N結等數百種薄膜以及多層結構。

一束聚焦脈沖激光打到位于真空室內的旋轉靶,焦點處的靶材迅速被加熱到2000-10000 K, 靶材物質瞬間被汽化、電離并膨脹而形成羽狀輝光(簡稱羽輝)。羽輝中的物質與被加熱到一定溫度的基片相遇時就在其上淀積成膜。

    激光淀積過程中生長室可以充氣,氣壓一般為10-8-100Pa 之間,所充氣體可以是氧、氮、氫、氬……氣體,也可以是電離氣體或其它活性氣體,還可以是化合物氣體。

 
脈沖激光制備薄膜的優點是:
  • 1、薄膜成分容易實現與靶材一致;
  • 2、淀積速率快,一般比射頻濺射法快6-10倍;
  • 3、薄膜質量高,膜層和基底之間互擴散??;
  • 4、容易引入新的單元技術,如引入高能電子衍射(RHEED)原位實時監測薄膜生長,引入活性氣體技術等。
  • 5、使用范圍寬,尤其適用制備高熔點材料薄膜;
  • 6、便于在相對高氣壓條件下工作。
   
聯系人:????孟  磊    曹 爽??        電話 :010-82648036/9456       Mail: 13683272657@163.com?
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