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 真空甩帶機
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 真空退火爐
 單晶硅加熱系統
 激光鍍膜機
 激光分子束外延系統
 
 
 
 
 
 
 
   
激光分子束外延系統
   
  激光分子束外延是近十年來出現的高精密制膜技術,它綜合了脈沖激光沉積和分子束外延的特點和優勢,可在高真空、超高真空條件下實現原位實時監控薄膜原子尺度層狀外延生長太子彩票平台注册。適用于多種有機、無機薄膜的制備,尤其適宜于用其它制膜設備和方法難以制備的高熔點太子彩票平台注册、多元素(特別是含有氣體元素時)、復雜層狀結構的薄膜和超晶格的制備,并可同時進行激光與物質相互作用及成膜過程的物理、化學觀測,為探索太子彩票平台注册、開發新材料、新器件及相關基礎研究提供了一個強有力的平臺。
 
主要技術指標:
 
  • 外延室:
    直徑500mm不銹鋼球形腔體,裝配有靶組件太子彩票平台注册、基片臺等部件及多種窗口/觀察窗太子彩票平台注册太子彩票平台注册、接口、樣品傳遞(磁傳送桿)
  • 外延室背底真空度:2~10-8 Pa以上
  • 靶組件:
    最大可裝Φ70mm靶材4塊,可制備2英寸外延基片
    換靶定位精度:0.1°
    靶材自傳頻率:0.5 ~ 5Hz
  • 靶與基片間距:
    調節范圍:35-95mm
  • 基片臺:
    基片旋轉:0 ~ 360°, 0.2 ~ 5Hz
    最高工作溫度:850 °C
    溫度起伏:≤ ±0.1 °C
  • 紅外測溫儀:
    測溫范圍:300~1200°C
    靈敏度:0.1°C
    最小可測面積:Φ2mm
  • 四極質譜儀:
    最小可測分壓:5x10-11Pa
    質量范圍:2~100amu
    靈敏度:0.4/Pa(N)
  • 二維激光掃描調節范圍:
    掃描角度:X,Y - 0° ~ 20°
    掃描周期:X - 10 ~ 60s,Y - 30 ~ 120s
    光束取向:0° ~ 360°
  • 控制計算機:
    可建立160個用戶(每用戶可有40個靶系統硬件組態子目錄,每子目錄有40個RECIPE工作目錄太子彩票平台注册太子彩票平台注册,每RECIPE可有88個STAGE)
  • RHEED計算機數據采集和處理系統:
    每次可采集存儲圖像8幅、強度振蕩數據點60 000個
    數據采樣頻率:16個/秒太子彩票平台注册、8個/秒太子彩票平台注册、3個/秒、1個/秒
  • 活性氣體裝置:
    工作氣壓范圍: 1~ 5 x 10-3 Pa
    原子氧濃度:≥10 %
適用范圍:

      適用于多種有機、無機薄膜的制備,尤其適宜于用其它制膜設備和方法難以制備的高熔點太子彩票平台注册、多元素(特別是含有氣體元素時)、復雜層狀結構的薄膜和超晶格的制備太子彩票平台注册,并可同時進行激光與物質相互作用及成膜過程的物理、化學觀測,為探索、開發新材料、新器件及相關基礎研究提供了一個強有力的平臺太子彩票平台注册。

 
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